×

Вы находитесь на архивном сайте ИНХ СО РАН. Сайт закрыт в связи с неактуальностью, представленной на нём информации.
Актуальный сайт расположен по адресу: www.niic.nsc.ru

Логотип ИНХ СО РАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки

Институт неорганической химии им. А.В. Николаева

Сибирского отделения Российской академии наук

Публикации сотрудников Института в ведущих журналах

20 августа 2014 года →  Публикации в ведущих журналах

Evolution of chemical bonding and electron density rearrangements in monolayered titanium disulfide

В журнале Journal of Computational Chemistry (ИФ 3.835) опубликована статья сотрудников института М.Р. Рыжикова, В.А. Слепкова, С.Г. Козловой и С.П. Габуды, иллюстрация к которой вынесена на обложку журнала

Maxim R. Ryzhikov, Vladimir A. Slepkov, Svetlana G. Kozlova, and Svyatoslav P. Gabuda «Evolution of chemical bonding and electron density rearrangements during D3h → D3d reaction in monolayered TiS2: A QTAIM and ELF study» Journal of Computational Chemistry, 2014, Volume 35, Issue 22, 1641–1645DOI: 10.1002/jcc.23662

В статье с помощью квантовохимических методов «Атомы в молекулах» и «Функции локализации электронной плотности» детально исследуется экзотермическая твердотельная D3h → D3d реакция, теоретически обнаруженная ранее авторами в монослое дисульфида титана TiS2, перспективном материале радиоэлектроники. Исследуется эволюция химического межатомного связывания и изменение электронной плотности в ходе реакции. Показано, что обнаруженная реакция сопровождается рядом «топологических катастроф», связанных с такими элементарными химическими событиями как разрыв и образование связей (в том числе, неожиданное появление связи S-S между слоями серы) и перераспределение электронной плотности внутри внешних валентных и внутренних оболочек.

Изоповерхность и сечение распределения функции электронной локализации монослоя TiS2 в плоскости Ti-Ti-Ti.

Изоповерхность и сечение распределения функции электронной локализации монослоя TiS2 в плоскости Ti-Ti-Ti.

Все лучшие статьи