Логотип ИНХ СО РАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки

Институт неорганической химии им. А.В. Николаева

Сибирского отделения Российской академии наук

Академик Федор Андреевич Кузнецов

Академик РАН Фёдор Андреевич Кузнецов

Академик РАН Фёдор Андреевич Кузнецов

Вехи жизни

  • 1955 г. — окончил Ленинградский государственный университет.
  • 1958–1961 гг. — аспирант ИНХ СО РАН.
  • 1961 г. — защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата химических наук по специальности «физическая химия».
  • 1972 г. — защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора химических наук.
  • 1976 г. — присвоено ученое звание профессора по специальности «физическая химия».
  • 1981 г. — присуждена Государственная премия СССР по науке и технике.
  • 1984 г. — избран членом-корреспондентом АН СССР.
  • 1987 г. — избран действительным членом (академиком) АН СССР.
  • Автор более 400 научных трудов, признанный глава научной школы, имеет правительственные награды.
  • 1983–2005 гг. — директор ИНХ СО РАН
  • скоропостижно скончался 4 февраля 2014 г.

Он останется в памяти живых (Ф.А. Кузнецов / Наука в Сибири, №6 от 13.02.2014)

Краткий очерк научной, научно-организационной, педагогической и общественной деятельности

Академик Федор Андреевич Кузнецов — выдающийся физико-химик и материаловед. Он являлся одним из ведущих специалистов в нашей стране и за рубежом в области разработки научных основ создания материалов для микроэлектронной техники, количественных методов анализа неорганических материалов, многокомпонентных систем для выращивания кристаллов и слоев из газовой фазы, теоретических основ и методологии термодинамического моделирования процессов синтеза материалов и структур.

Основные направления научных исследований Ф.А. Кузнецова – разработка физико-химических основ создания материалов и структур с заданными свойствами для микро- и оптоэлектроники, экспериментальное и теоретико-расчетное изучение процессов синтеза и деградации материалов и структур, разработка новых технологических процессов и аппаратуры, материаловедческая информатика. Им развита методология количественного исследования одного из наиболее используемых в микроэлектронной технологии типа процессов – химического осаждения из газовой фазы, обоснована содержательность и развита техника термодинамического моделирования процессов синтеза материалов и структур. Под его руководством проводились обширные исследования взаимосвязи структуры, состава и свойств веществ многослойных структур, составляющих основу элементной базы вычислительной техники, с физическими параметрами.

Ф.А. Кузнецов много сделал для организации и развития информационного обеспечения работ по материаловедению и структурной химии. Под его руководством в Институте создан банк данных свойств материалов электронной техники (СМЭТ), включающий базы термодинамических и структурных данных и комплекс оригинальных программ для проведения моделирования процессов создания материалов и стабильности твердотельных структур.

Характерной особенностью деятельности Ф.А. Кузнецова являлся системный подход: многие результаты оригинальных научных исследований доведены до значимых приложений, по направлениям проводимых исследований организованы долговременные программы сотрудничества разного уровня.

Ф.А. Кузнецов хорошо известен широкой научной общественности в России и за рубежом благодаря своей многогранной научной и научно-организационной деятельности: он являлся председателем научного совета РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, руководителем ряда программ Сибирского отделения РАН по материалам, со-руководителем программы научно-технического сотрудничества России и Индии. Долгое время Ф.А. Кузнецов был активным членом комитета КЕМРОН "Химия для нужд человечества", Международного союза теоретической и прикладной химии, сейчас являлся вице-президентом КОДАТА.

Ф.А. Кузнецов – инициатор организации Азиатско-тихоокеанской академии материалов, долгое время был президентом этой академии. По его инициативе и с активным участием проводились совместные проекты с научными организациями Индии, Китая, Японии, Германии.

Академиком Ф.А. Кузнецовым много сделано для сохранения и развития научно-технического потенциала России в годы перестройки. Возглавляемый им научный совет РАН регулярно проводил конференцию и школу по проблемам кремния – основного материала современной электроники. По общему признанию эти собрания помогли сохранить «кремниевую команду СНГ». По согласованию с академиком Б.Е. Патоном создана секция функциональных материалов в совете по материалам Международной ассоциации академий наук. Эта секция, регулярно работающая с 2008 года – важный фактор кооперации материаловедов России, Украины, Белоруссии и Азербайджана. По инициативе Ф.А. Кузнецова создана межрегиональная программа «Силовая электроника Сибири». Координация работ в области силовой электроники позволила обеспечить рекордно высокие темпы развития этого производства в Сибири.

С 1983 по 2005 год Ф.А.Кузнецов занимал пост директора Института неорганической химии СО РАН, затем советника РАН.

Научно-исследовательскую работу Федор Андреевич всегда сочетал с активной педагогической деятельностью. Он – признанный глава научной школы, до 2005 года заведовал кафедрой в Новосибирском государственном университете. Ф.А. Кузнецов являлся профессором Шеньянского университета химической технологии (Китай), многократно приглашался для чтения лекций в Университет Тохоку (Япония) и Индийский институт технологии в Дели (Индия).

Работы академика Ф.А.Кузнецова отмечены высокими правительственными наградами: Медаль за трудовую доблесть (1975), Госпремия СССР (1981), Орден Знак почета (1986), Орден Дружбы (2007).

Дополнительные ссылки